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Définition - Que signifie Perfect RAM?
Perfect RAM est un type de mémoire vive non volatile. Il stocke les données en changeant l'état du matériel utilisé; le verre de chalcogénure bascule entre les états lorsqu'il est soumis à la chaleur produite par le passage d'un courant électrique. Au niveau microscopique, les données changent d'avant en arrière entre deux états: amorphe et cristallin.
Perfect RAM est l'une des technologies de mémoire en concurrence pour remplacer la mémoire flash, ce qui pose un certain nombre de problèmes.
Ce terme est également connu sous le nom de PRAM, PCRAM, Ovonic Unified Memory, Chalcogenide RAM, C-RAM et Phase-Change Memory (PCM).
Techopedia explique Perfect RAM
A l'état amorphe (ou phase désordonnée), le matériau présente une résistance électrique élevée. A l'état cristallin (ou phase ordonnée), il a moins de résistance. Ainsi, le courant électrique peut être activé et désactivé, qui représentent des états numérique haut et bas correspondant aux valeurs 1 et 0 d'un code binaire. Des recherches récentes ont découvert deux états supplémentaires, doublant effectivement la capacité de stockage.
Les temps d'écriture pour une mémoire flash sont d'environ une milliseconde pour un bloc de données, 100 000 fois supérieurs au temps de lecture typique de 10 nanosecondes (ns) pour un octet utilisant la mémoire vive statique (SRAM). Une mémoire RAM parfaite peut offrir des performances beaucoup plus élevées lorsqu'une écriture rapide est importante. La mémoire flash se dégrade à chaque rafale de tension. Les périphériques RAM parfaits se dégradent également, mais à un rythme beaucoup plus lent. Ces appareils peuvent supporter environ 100 millions de cycles d'écriture. La durée de vie parfaite de la RAM est limitée par l'expansion thermique pendant la programmation, la migration des métaux et des mécanismes inconnus.
Certains des défis de la technologie RAM parfaite impliquent l'exigence d'une densité de courant de programmation élevée (contrôle précis du courant), d'une résistance à long terme (résistance soutenue au courant électrique) et d'une dérive de tension de seuil (contrôle précis de la tension électrique) - le tout au niveau microscopique. Hewlett-Packard, Samsung, STMicroelectronics et Numonyx, entre autres, étudient ces défis.
