Table des matières:
- Définition - Que signifie la résistance de mémoire (Memristor)?
- Techopedia explique la résistance de mémoire (Memristor)
Définition - Que signifie la résistance de mémoire (Memristor)?
Une résistance de mémoire (memristor) est un composant électrique passif non linéaire à deux bornes considéré comme le quatrième élément de circuit électrique fondamental, en plus des éléments de circuit fondamentaux d'origine: résistances, condensateurs et inductances. Comme une résistance, elle crée et maintient un flux sûr de courant électrique à travers un appareil, mais elle peut également se souvenir de la dernière charge qui la traversait. Elle diffère d'une résistance ordinaire car elle peut "se souvenir" des charges même en l'absence de courant ou de tension, ce qui permet le stockage d'informations même lorsque l'appareil est éteint.
Techopedia explique la résistance de mémoire (Memristor)
La résistance de mémoire a commencé comme une théorie présentée pour la première fois par le Dr Leon Chua en 1971. Il s'agit essentiellement d'un circuit passif à deux bornes qui a une relation non linéaire entre la charge électrique et la liaison de flux magnétique. Bien que les résistances de mémoire suivent toujours les variables fondamentales du circuit de tension, de courant et leurs intégrales temporelles, elles ont une fonction dynamique avec la mémoire et peuvent être décrites comme une fonction de charge nette, qui ne se trouve pas dans les trois autres éléments de circuit fondamentaux.
Le memristor est également capable de fonctions logiques qui peuvent changer considérablement la structure compartimentée actuelle de l'informatique, car cela permet la création de dispositifs capables à la fois de traiter et de stocker des données dans le même espace. Actuellement, il n'y a pas de résistance de mémoire standard, mais chaque appareil implémente une fonction particulière dans laquelle l'intégrale de tension détermine l'intégrale de courant, et vice versa.
Comme les memristors sont encore en développement, leur avenir dépend de la détermination de la meilleure mise en œuvre matérielle. Actuellement, IBM, Samsung, HRL, Hewlett Packard et de nombreux autres laboratoires de recherche ont manifesté de l'intérêt pour le memristor au dioxyde de titane, mais il existe également plusieurs autres types de memristors.
